形 G3VH 高電圧SiC MOSFETリレー

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  • 新

SiC MOSFET搭載で1,000V以上の
高負荷電圧を実現したMOSFETリレー

  • 負荷電圧 1,700V/1,800V/3,300V
  • 低オン抵抗
  • 低端子間容量設計により高電圧用途での「スイッチング性能・測定精度・安全性」に貢献
    G3VH-331de□C:連続負荷電流30mA,オン抵抗100Ω(標準),端子間容量30pF (標準)

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